Поиск:
Войти
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Язык: Английский
Тип: Текст
Год издания: 2019
ISBN: 9780471660996
Бесплатный фрагмент: pdf
Полная версия
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
- О книге
- Читать
Читать онлайн «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design»
Отзывы о книге «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design»
Другие книги автора:
Популярные книги
















