Технологии формирования изолирующих областей интегральных микросхем с использованием тонких диэлектрических пленок

Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с созданием основных узлов диэлектрической изоляции в интегральных микросхемах (ИМС): диэлектрической изоляции в подложке кремния и предметаллического диэлектрика – диэлектрической изоляции между транзисторными структурами и первым уровнем металлической разводки ИМС. На примере этих узлов хронологически проанализированы проблемы и технологические решения по получению конформных диэлектрических пленок на основе диоксида кремния на усложняющихся рельефах интегральных микросхем. Пособие составлено на базе 40-летнего личного опыта работы автора на отечественных и зарубежных предприятиях микроэлектронной отрасли. Материал пособия может быть рекомендован для обучения будущих бакалавров и магистров по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Рекомендуется для магистрантов и аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также для технологов производства ИМС, исследователей в области нанотехнологий.